Преподаватель общей физики в СПбГАСУ на Красноармейской БАРАШЕВ Матвей Нестерович
Должность: и. о. заведующего кафедрой, доцент
Ученая степень: кандидат технических наук (2002)
Факультет: инженерной экологии и городского хозяйства
Кафедра: строительной физики и химии
Образование:
специальность: физик
квалификация: преподаватель физики (Кабардино-Балкарский государственный университет, 1984)
Читаемые дисциплины:
  • Общая физика
Научные интересы:
  • Рентгеновская дифракция на многослойных монокристаллических структурах
  • Конструктивные и технологические особенности создания мощных СВЧ-диодов
Участие в научных конференциях:
Участник двух научных конференций.
Количество публикаций:
Автор и соавтор более 40 публикаций в научных изданиях.
Наиболее значимые публикации
Статьи:
  1. Связь выхода годных многомезовых кремниевых лавинно-пролётных диодов миллиметрового диапазона со структурными параметрами / А. С. Ташилов, М. Н. Барашев, А. Н. Багов, А. А. Дышеков, Ю. П. Хапачев // Поверхность. – 2007. – № 5. – С. 3–6.
  2. Ташилов, А. С. Новые подходы в технологии особо мощных диодных СВЧ-генераторов миллиметрового диапазона / А. С. Ташилов, М. Н. Барашев, Ю. П. Хапачев / Под ред. д. т. н., проф. Б. С. Карамурзова и д. ф.-м. н., проф. А. А. Дышекова. – Нальчик: Каб.-Балк. ун-т, 2007. – 60 с.
  3. Барашев, М. Н. Рентгенодифрактометрическое исследование двухслойной гетероструктуры с переходным слоем с учётом изменения электронной плотности / М. Н. Барашев // Поверхность. – 2005. – № 6. – С. 13-17.
  4. Структурные параметры и качество многомезовых кремниевых лавинно-пролетных диодов / А. С. Ташилов, М. Н. Барашев, А. Н. Багов, Ю. П. Хапачев // II Украинская научная конференция по физике полупроводников (УНКФП-2) с участием зарубежных ученых: материалы конференции. – Черновцы: Рута, 2004. – Т. 2. – С. 563.
  5. Рентгенодифрактометрическиое исследование нарушенных приповерхностных слоев Si(111) и InGaP/GaAs(111) на основе модели постоянного градиента деформации / В. В. Лидер, Ф. Н. Чуховский, Ю. П. Хапачев, М. Н. Барашев // ФТТ. – 1989. – Т. 31. – Вып. 4. – С.74–81.
  6. Barashev, M. N. The new approaches in a process engineering high power microwaves diodes millimeter wave band / A. A. Dyshekov, A. S. Tashilov, М. N. Barashev // Journal of Guangdong Non-Ferrous Metals. – 2005. – Vol. 15, 52. – № 2–3. – P. 545–547.
Адрес 190005, Санкт-Петербург, 2-я Красноармейская ул., д. 4, СПбГАСУ
Телефон (812) 316-35-10, (812) 316-32-47
E-mail mbarashev@yandex.ru

Факультеты

  • Факультет инженерной экологии и городского хозяйства
    Факультет инженерной экологии и городского хозяйства
  • Автомобильно-дорожный факультет
    Автомобильно-дорожный факультет
  • Факультет экономики и управления
    Факультет экономики и управления
  • Архитектурный факультет
    Архитектурный факультет
  • Строительный факультет
    Строительный факультет
  • Институт безотрывных форм обучения
    Институт безотрывных форм обучения
  • Факультет судебных экспертиз и права в строительстве и на транспорте
    Факультет судебных экспертиз и права в строительстве и на транспорте