En
Все новости

Строительство в историческом центре: технология решает все

4 фев 2019

Строительство в историческом центре: технология решает все

Вопросы нового строительства особенно актуальны в таких условиях как сложившаяся историческая застройка и действие жёсткого высотного регламента. Подземное пространство используется всё активнее, под землю «уходят» парковки, торговые центры, складские помещения.
Минимизировать влияние нового строительства на соседние здания призвана технология «стена в грунте». Об этом мы побеседовали с доцентом кафедры геотехники СПбГАСУ, ведущим инженером ООО «ТОМС-проект» Дмитрием Александровичем Сапиным.

Дмитрий Сапин защитил в 2016 году кандидатскую диссертацию «Технологические осадки существующей застройки при устройстве траншейной стены в грунте». Научный руководитель — заведующий кафедрой геотехники СПбГАСУ, д.т.н., профессор, вице-президент Российского общества по механике грунтов, геотехнике и фундаментостроению (РОМГГиФ) Рашид Абдуллович Мангушев.


— Технология «стена в грунте» обладает значительной жесткостью и существенно превосходит по этому показателю шпунтовое ограждение или ограждение из буросекущихся свай, что позволяет разрабатывать глубокие котлованы в сложных инженерно-геологических условиях и в непосредственной близости от существующих зданий. Это очень актуально для Санкт-Петербурга. В сложившейся практике проектирования и строительства распространено мнение, что дополнительные осадки существующих зданий при устройстве траншейной «стены в грунте» незначительны, и ими можно пренебречь. В моей работе приведено обоснование неправомерности такого допущения.

— Технологическими осадками нельзя пренебречь. Что же с ними следует делать?

— В своей работе я доказал, что для траншейной стены в грунте эти осадки могут быть посчитаны с использованием современных программных комплексов. Помимо подтверждения того факта, что осадки существуют, в моей кандидатской диссертации был проведен анализ возможности их снижения. Я предложил методику расчета осадков фундаментов зданий, вызванных процессом устройства траншейной «стены в грунте». На основе данных геотехнического мониторинга на двух строительных объектах в моей работе продемонстрировано, что технологические осадки соседней застройки при устройстве траншейной «стены в грунте» могут достигать до 70% от полной осадки, вызванной новым строительством. Показана принципиальная возможность численного решения поставленной задачи с помощью метода конечных элементов. Предложена формула для предварительной оценки технологических осадок зданий при различных параметрах «стены в грунте». Приведено сравнение результатов, полученных по предложенной методике с данными мониторинга на двух объектах, возведенных в центре Санкт-Петербурга в условиях плотной городской застройки.

На основе данных геотехнического мониторинга на двух строительных объектах в моей работе продемонстрировано, что технологические осадки соседней застройки при устройстве траншейной «стены в грунте» могут достигать до 70% от полной осадки, вызванной новым строительством


— Ваши исследования получили практическое применение?

— Данную тематику изучал не только я, но и другие аспиранты из Санкт-Петербурга и Москвы. Итогом этих работ стало изменение мнения о том, что технологические осадки зависят от человеческого фактора. Сейчас в действующих строительных нормах прописано, что технологические осадки для тех технологий, которые поддаются расчету, должны быть посчитаны.

— Чем вы занимаетесь на данный момент?

— На данный момент тематика моих исследований — численное моделирование геотехнических задач.


Беседовала Татьяна Петрова